SiTime MEMS 32 kHz解決方案是在空間和功率至關(guān)重要的可穿戴和移動(dòng)應(yīng)用中替代傳統(tǒng)石英晶體諧振器的理想選擇。
·芯片級(jí)封裝(CSP)中1.2 mm2(1.5 x 0.8 mm)的小占地面積
·超低功率,低至<1μA
·納米驅(qū)動(dòng)器? 與LVCMOS輸出相比,可編程輸出擺動(dòng)使功率最小化
·1.2 V操作優(yōu)化,適用于穩(wěn)壓電源應(yīng)用,如紐扣電池或超級(jí)電容備用電池
·全方位頻率穩(wěn)定性,溫度低至±50 ppm
系列 | 頻率 | 穩(wěn)定度 (PPM) | 輸出 | 電壓 (V) | 工作溫度(°C) | 尺寸 (mm2) |
32.768 kHz | ±75±100±250 | LVCMOSNanoDrive? | 1.2to3.63 | -10to+70 -40 to+85 | 1.5x0.8 | |
32.768 kHz | ±75±100±250 | LVCMOSNanoDrive? | 1.2 to 3.63 | -10to+70 -40 to+85 | 2.0x1.2 | |
32.768 kHz | ±50 | LVCMOS | 1.62 to 3.63 | -40 to+85 | 1.5x0.8 | |
32.768 kHz | ±100 | LVCMOS | 1.62 to 3.63 | -40 to+85 | 1.5x0.8 | |
32.768, 16.384 kHz | ±75±100±150 | LVCMOS | 1.5 to 3.63 | -10 to +70-40 to+85-40 to +105 | 2.0x1.2 SOT23-5 |
SiTime 32 kHz TCXO系列是第一款在1.2 mm2芯片級(jí)封裝中提供±3 ppm穩(wěn)定性的產(chǎn)品。典型的核心電源電流低至1μA。這些32 kHz TCXO在多個(gè)溫度點(diǎn)上進(jìn)行工廠校準(zhǔn),以確保極其緊密、包羅萬(wàn)象的頻率穩(wěn)定性。
·SiT1552 TCXO提供低至0.99μA的電源電流,外加NanoDrive? 可編程輸出,進(jìn)一步降低功耗
·SiT1566、SiT1567和SiT1580 TCXO分別在2.5ns、2.0ns和1.8ns下提供低集成RMS相位抖動(dòng)
·SiT1580采用最新一代EpiSeal?技術(shù),該技術(shù)密封諧振器,使其不受所有小分子氣體的影響,不受外部大氣元素的影響
系列 | 頻率 | 穩(wěn)定度 (PPM) | 輸出 | 電壓 (V) | 工作溫度 (°C) | 尺寸 (mm2) |
32.768 kHz | ±5±10±20 | LVCMOSNanoDrive? | 1.5 to 3.63 | -0to+70 -40 to +85 | 1.5x0.8 | |
32.768 kHz | ±3±5 | LVCMOS | 1.62 to 3.63 | -20 to +70-40 to +85 | 1.5x0.8 | |
SiT1568 | 32.768 kHz | ±5 | LVCMOS | 1.8 | -20 to +70-40 to +85 | 1.5x0.8 |
32.768 kHz | ±5 | LVCMOS | 1.62 to 3.63 | -20 to +70-40 to +85 | 1.5x0.8 |